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編輯推薦：
本书作者从有别于传统半导体生长技术的角度出发，于国内外首次提出了液态金属印刷电子学与印刷半导体的全新理念与技术途径，研发的有关液态金属电子制造装备及电子材料产品逐步实现了规模化工业应用及普及，正为下一代电子器件、集成电路乃至用户端芯片的快速成型打开全新视野，为半导体制造业注入新的活力。与此同时，世界范围内对半导体制造方面的竞争日趋紧张加剧，我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子境遇，改变现状的突破口只能通过重大理论创新与技术变革实现。本书首次系统介绍液态金属印刷半导体技术的基本思想、典型途径和应用情形，其全新理论与应用技术体系颠覆了经典制程的基本理念，开辟出了崭新的半导体与集成电路制造赛道，本书的出版将及时有力地促进我国相关行业后来居上乃至实现跨越式发展，有紧迫的现实意义。
內容簡介：
经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重水电消耗。作者刘静教授带领团队研发的液态金属印刷半导体技术，以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多类型半导体的大面积低成本印制，由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片，这一模式打破了传统半导体制造理念与应用技术瓶颈，正以其普惠化特点展示出巨大发展空间，可望为芯片制造业注入新的活力。为促进这一新兴领域的繁荣和发展，本书旨在介绍液态金属印刷半导体技术的基本原理、典型途径和应用问题，以助力更多基础研发和工业实践，继而推动行业进步。尤其在当前我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子的背景下，本书的出版具有重要的现实意义。
關於作者：
刘静，中国科学院理化技术研究所研究员、清华大学生物医学工程系教授。长期从事液态金属、生物医学工程与工程热物理等领域交叉科学问题研究并做出系列开创性贡献。特别是在液态金属领域取得了突破性发现和应用，成果在世界范围产生广泛影响。出版14部著作，发表论文480余篇（30余篇英文封面或封底故事）；申报发明专利200余项，已获授权130余项。曾获国际传热界最高奖之一“The William Begell Medal”、全国首届创新争先奖、中国制冷学会技术发明一等奖、ASME会刊Journal of Electronic Packaging年度唯一最佳论文奖等。
目錄
第1章绪论1
內容試閱
近一个世纪以来，半导体凭借其性能优势及产业带动作用，在推动现代科学技术和社会进步方面发挥了极为重要的引领作用。发展至今，半导体行业主要由四代材料的更迭所驱动。第一代以硅(Si)和锗(Ge)为代表，始于20世纪50年代；第二代以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为主，出现于20世纪80年代；第三代主要是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，可追溯到20世纪末；第四代则以兴起中的氧化镓(Ga?O?)为代表。半导体行业一直是资本、人力和技术最为密集的制造业，迄今为止几乎所有经典的半导体生长技术，如分子束外延、脉冲激光沉积、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和原子层沉积(ALD)等，均严重依赖于高温处理和十分苛刻的真空条件、水电资源，一套芯片制程往往涵盖数十道复杂工序，涉及从最初晶片生产到生产线上的切割乃至最终的封装、检查和测试等，环节中发生的任何错误都将导致晶片最终报废以及随后引发的巨大经济损失。
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