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![超能团队：提高团队绩效的30个工具 [英]帕梅拉·汉密尔顿](http://103.6.6.66/upload/mall/productImages/24/15/9787111751304.jpg)
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超能团队：提高团队绩效的30个工具 [英]帕梅拉·汉密尔顿
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| 編輯推薦： |
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本书特色?作者团队阵容强大：以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、京都大学实力派教授木本恒畅、关西学院大学知名教授大谷昇和企业实力代表罗姆公司的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表；? 覆盖SiC全产业链的技术焦点：以作者在各自研究领域多年的实际经验为基础，以技术为主导、以应用为目的，从理论面到技术面，从制造到应用，一本实用型专业指导全书。
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| 內容簡介： |
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以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表，在各自的研究领域结合各自多年的实际经验，撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点，以技术为主导、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述，内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链，不仅表述了碳化硅各环节的科学原理，还介绍了各种相关的工艺技术。本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义，适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读，也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。
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| 關於作者： |
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松波弘之1962年毕业于京都大学工学部，1970年获得工学博士，1976—1977年担任美国北卡罗莱纳州立大学客座副教授，1983年担任京都大学教授，2003年退休后担任京都大学名誉教授。专业：半导体材料工程学。大谷昇1984年完成东京工业大学物理学硕士课程，2008年担任日本关西学院大学教授。专业：碳化硅半导体材料的晶体生长以及缺陷物理学。木本恒畅1986年毕业于京都大学工学部。1988年进入住友电气工业公司伊丹研究所工作。2006年至今，担任京都大学教授。专业：半导体材料，器件。中村孝1990年进入罗姆公司，进行大规模集成电路的工艺开发。1996年获得京都大学工学博士学位。2003年至今，从事碳化硅功率器件开发工作。
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| 目錄：
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目录推荐序一推荐序二译者序原书前言原书编委会成员原书作者名单第1章碳化硅（SiC）技术的进展1.1发展的历史背景1.2台阶控制外延生长模式的发明（SiC技术的大突破）1.3SiC衬底结晶的研发进展1.4运用于功率半导体的前景1.5肖特基二极管的产业化1.6晶体管的产业化1.7功率器件模块第2章SiC的特征第3章SiC单晶的晶体生长技术3.1SiC晶体生长的基础3.2升华法3.2.1使用升华法生长大尺寸SiC晶体3.2.2RAF生长法3.3液相法3.3.1通过添加金属溶媒的SiC单晶液相生长3.3.2在六方晶衬底上进行3C-SiC液相生长3.3.3MSE法3.4气相法3.4.1气体生长法3.4.2Si衬底上生长3C-SiC厚膜3.5SiC晶体生长工艺的仿真模拟技术3.5.1升华法生长单晶的仿真模拟3.5.2横向热壁CVD生长模拟第4章SiC单晶衬底加工技术4.1SiC单晶多线切割4.1.1加工设备以及工具4.1.2各种加工方式的优缺点4.2SiC单晶衬底的研磨技术4.2.1粗加工4.2.2精加工4.2.3双面CMP4.3SiC单晶的新加工法4.3.1CARE法4.3.2放电加工法第5章SiC外延生长技术5.1SiC外延生长的基础5.2SiC外延生长技术的进展5.2.1SiC外延层的高品质化5.2.2SiC外延层的高速生长5.3有关SiC外延生长中晶体缺陷的研究5.3.1扩展缺陷5.3.2点缺陷专栏：石墨烯第6章SiC的表征技术6.1SiC的物理性质评价6.1.1光致发光6.1.2拉曼散射评估6.1.3霍尔效应6.1.4载流子寿命测量6.2SiC的缺陷评估6.2.1采用化学刻蚀评估位错6.2.2X射线形貌法下的位错、堆垛层错缺陷等的评估6.2.3深能级评估6.2.4电子自旋共振（ESR）下的点缺陷评估专栏：晶圆成像评估ⅩⅤⅠⅠⅩⅤⅠⅠⅠ第7章SiC的工艺技术7.1离子注入7.1.1维持SiC表面平坦化7.1.2低电阻n型区的形成7.1.3低电阻p型区的形成7.1.4离子注入的Al与B的分布控制7.2刻蚀7.2.1反应等离子体刻蚀7.2.2高温刻蚀7.2.3湿法刻蚀7.2.4刻蚀形状的控制7.3栅极绝缘层7.3.1MOS界面基础与界面物理性质评估法7.3.2热氧化膜7.3.3沉积氧化膜7.3.4高相对介电常数绝缘膜7.4电极7.4.1欧姆电极7.4.2肖特基电极专栏：MEMS第8章器件8.1器件设计8.1.1漂移层的设计与导通电阻8.1.2器件的功率损耗8.2模拟实验8.2.1功率器件的等比例缩小和巴利加优值8.2.2SiC功率器件模拟的收敛问题8.2.3SiC的碰撞电离系数的各向异性8.2.4SiC器件的终端结构8.3二极管8.3.1pn结二极管8.3.2肖特基势垒二极管8.4单极型晶体管8.4.1DMOSFET8.4.2沟槽MOSFET8.4.3DACFET8.4.4IEMOSFET8.4.5JFET8.4.6嵌入沟槽型SiC JFET8.4.7SIT8.5双极型晶体管8.5.1BJT8.5.2晶闸管，GCT8.6高输出功率、高频率器件8.6.1晶体管8.6.2二极管专栏：绝缘栅双极型晶体管第9章SiC应用系统9.1SiC器件在电路工艺上的应用9.1.1SiC功率器件的应用领域以及电路设计9.1.2电路小型化的SiC功率器件应用9.1.3SiC功率器件在电路上的应用实例9.2在逆变电路上的应用（1）：通用逆变器9.2.1通用逆变器主要结构9.2.2逆变器单元设计、试制示例9.3在逆变电路上的应用（2）：车载逆变器9.3.1车载逆变器的构成9.3.2车载逆变器对功率半导体性能的要求以及对SiC的期待9.3.3SiC逆变器的车载实例9.3.4车载SiC逆变器今后的研究课题9.4在逆变电路上的应用（3）：铁路用逆变器9.4.1铁路用逆变器与功率器件9.4.2铁路用逆变器的电路结构9.4.3铁路用逆变器上的SiC器件应用9.5在逆变电路上的应用（4）：电力用逆变器9.5.1使用SiC二极管的混合结构逆变器与电力稳定装置9.5.2SiC MOSFET构成的太阳能电池并网用三相逆变器9.5.3带有应对瞬时电压下降功能的负荷平衡装置用高过载三相全SiC逆变器专栏：高耐热模块ⅩⅠⅩⅩⅩ第10章各领域SiC应用前景10.1新能源汽车10.1.1汽车行业的外部环境10.1.2丰田HV的过去、现在和将来10.1.3最新HV10.1.4对SiC产业今后的期待10.2太阳能发电10.2.1光伏逆变器10.2.2对下一代功率半导体的期待10.3电源，UPS10.3.1直流电源10.3.2UPS10.4铁路10.4.1铁路列车半导体电力变换装置概要10.4.2铁路电气化方式10.4.3主电路用逆变器10.4.4交流电气化区域的主电路10.4.5SIV10.4.6变电站10.4.7市场规模10.4.8SiC化的动向10.5家电10.5.1家电领域的电力使用10.5.2电力电子家电的变迁及SiC的萌芽10.5.3家电的逆变器与功率半导体10.5.4SiC器件的前景10.6电力10.6.1功率半导体器件的电力系统适用实例及SiC适用效果10.6.2智能电网
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译者序很庆幸在日本半导体行业内非常畅销的《半導体SiC技術と応用第2版》在机械工业出版社的支持下得以引进、翻译并出版了中译本。原书在日本碳化硅学术界元老级人物松波弘之和碳化硅界代表性人物大谷昇、木本恒畅、中村孝等四人的牵头下，汇集了当今日本各大半导体研究机构和企业相关的碳化硅技术专家，以实际研究经验编写了这本学术专著。从单晶、外延、器件到模块，全方位描述了碳化硅的基础理论知识，阐述了碳化硅的各种研究方法和发展方向，图文并茂、数据充足，衷心希望此中译本能为国内相关从业人员的研究工作提供一些借鉴和参考。本书得以顺利出版，也得到了国内众多企业的友情赞助，在此表示由衷的感谢。他们是：上海翱晶半导体科技有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、汉民科技（上海）有限公司、中电化合物半导体有限公司、飞锃半导体（上海）有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、深圳基本半导体有限公司和巍巍博士以及瑟米莱伯贸易（上海）有限公司。另外，本书在最终的校核过程中，也得到了中国科学院大学集成电路学院的葛念念、卢文浩、王开宇等同学的友情支持，在此一并表示衷心的感谢。本书的翻译人员以普及碳化硅专业知识和推动国内碳化硅事业发展为目的，利用各自的业余时间做出了无偿的奉献。为了尽可能保证原汁原味，采用了多人多次重复审定的方法，但因为水平所限，一些瑕疵无法避免，还请广大读者予以理解和支持。译者
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