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『簡體書』硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理

書城自編碼: 2432327
分類: 簡體書→大陸圖書→工業技術化學工業
作者: 何茗,慕东,黄嘉 著
國際書號(ISBN): 9787030406132
出版社: 科学出版社
出版日期: 2014-06-01
版次: 1 印次: 1
頁數/字數: 128/140000
書度/開本: 16开 釘裝: 平装

售價:NT$ 351

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《硅灰石基LTCC陶瓷基板材料改性及介电机理》较为详细地介绍了硅灰石型玻璃陶瓷基板材料制备、对硅灰石型玻璃陶瓷的结晶相和玻璃相进行了定量分析、建立主晶相硅灰石(β-CaSiO3)的介电模型,并着重讨论烧结温度对硅灰石介电性能的影响。根据广义等效介质方程,建立了β-CaSiO3、CaB2O4、SiO2和残余玻璃的复合介质模型,并讨论不同组分的β-CaSiO3所形成的复合材料的介电常数和损耗随温度的变化关系。并用实验结果对理论模型进行了修正。为基板材料的理论和实验相结合研究提供了一个典型的范例。
內容簡介:
电子科学与技术、微电子与固体电子学、材料学、化学等相关领域的研究生以及从事低温共烧陶瓷LTCC材料及其技术研究工作的技术人员、管理干部、工程师等。
目錄
1 绪论
 1.1 多芯片组件
 1.2 低温共烧技术
1.2.1 LTCC的发展现状
1.2.2 LTCC的材料体系
 1.3 硅灰石基LTCC基板材料
1.3.1 硅灰石概述
1.3.2 硅灰石基LTCC材料的实验研究状况
1.3.3 硅灰石基LTCC基板材料的理论研究状况
2 硅灰石基LTCC样本制备
 2.1 引言
2.1.1 硅灰石晶体及玻璃陶瓷
2.1.2 硅灰石基LTCC常见制备方法
 2.2 硅灰石基LTCC材料的制备
2.2.1 B系样本的配方设计
2.2.2 性能测试
2.2.3 结果与讨论
 2.3 Zr掺杂的硅灰石基LTCCZ系的制备和性能分析
2.3.1 Zr掺杂的硅灰石基LTCC的制备
2.3.2 结果与讨论
 2.4 Ti掺杂的硅灰石基LTCCT系的制备和性能研究
2.4.1 T系样本的制备
2.4.2 结果与讨论
3 硅灰石基LTCC材料的定量分析
 3.1 引言
 3.2 XRD测试过程
 3.3 Rietveld全谱拟合结合体积加和法则进行定量分析
3.3.1 Rietveld全谱拟合分析方法与原理
3.3.2 结果与讨论
 3.4 Rietveld全谱拟合法结合分峰法定量分析
3.4.1 分峰法计算原理
3.4.2 结晶峰与非结晶峰的分离
4 硅灰石晶体电子结构及介电性能第一性原理计算
 4.1 引言
 4.2 计算模型和方法
4.2.1 计算模型
4.2.2 计算方法
 4.3 计算结果与讨论
4.3.1 晶体结构
4.3.2 电子结构
4.3.3 Mulliken电荷分布
4.3.4 光学吸收
4.3.5 复介电函数
4.3.6 折射率
 4.4 小结
5 硅灰石介电机理
 5.1 引言
 5.2 硅灰石极化机制
5.2.1 电子位移极化率
5.2.2 离子位移极化率
5.2.3 热离子极化率
 5.3 硅灰石静态介电常数的计算
5.3.1 硅灰石光频介电常数的计算及修正
5.3.2 静态介电常数的计算及修正
5.3.3 静态介电常数温度系数
 5.4 交流介电常数
5.4.1 热离子活化能U和松弛时间γ
5.4.2 复介电常数的实部ε’和虚部ε”
 5.5 硅灰石介电损耗
6 硼酸钙、石英晶体和残余玻璃的介电性能
 6.1 硼酸钙晶体介电性能
6.1.1 硼酸钙晶体静态介电常数
6.1.2 硼酸钙晶体复介电常数
6.1.3 硼酸钙晶体的介电损耗
 6.2 石英晶体介电性能
6.2.1 石英晶体介电常数
6.2.2 石英晶体损耗
 6.3 无定形玻璃相的介电常数ε和介电损耗tanδ
7 硅灰石基LTCC材料的介电性能
 7.1 复合材料的介电性能计算理论
 7.2 硅灰石基LTCC材料的介电常数
参考文献
索引

 

 

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