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| 內容簡介： |
《ESD揭秘静电防护原理和典型应用》是StevenH.Voldman沃尔德曼博士在半导体器件静电放电ESD领域20多年研究和工作经验的结晶。对ESD的基本原理、现实中的ESD环境、半导体器件制造、处理和组装过程的ESD现象、半导体器件片上和片外保护技术，以及对未来纳米结构中的ESD问题展望等，进行了系统而全面的阐述，是帮助了解半导体器件ESD及其所有相关问题的一本非常好的基础性书籍。
本书在介绍当今所面临的半导体芯片制造问题、ESD半导体芯片设计和系统问题。以及描述未来纳米技术的ESD现象方面是独一无二的。
本书是作者在ESD保护方面系列书籍的补充。对刚进入这个领域的人员来说。本书是一个重要的参考，也可以帮助了解进入纳米电子时代后现代技术所面临的问题。
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| 關於作者： |
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StevenH．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电ESD保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的第一位IEEEFellow。他于1979年在布法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院MIT获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位工程硕士学位；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位。他作为IBM开发团队的一员已有25年的历史，主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性[如软失效率SER、热电子、漏电机制、闩锁和ESD]的研究工作。Voldman博士参与到闩锁技术的研发已有27年之久。他的工作主要针对用于双极型SRAM、CMOSDRAM、CMOS逻辑、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智能电源和图像处理技术中的工艺和电路设计的研究。在2008年，他成为了奇梦达DRAM开发团队的一员，从事70nm、58nm和48nmCMOS工艺的研究。同年，他成立了一个有限责任公司，并作为台积电45mnESD和闩锁开发团队的一部分在其总部中国台湾新竹工作。目前他作为ESD和闩锁研发的高级首席工程师效力于Intersil公司。来萍，毕业于南京电子器件研究所，是工业和信息化部电子第五研究所研究员，电子学会会员，IEEE会员，广东省信息技术标准化技术委员会委员。承担过十几项国家级电子元件可靠性科研项目，在电子产品可靠性领域拥有丰富的经验。主要技术研究方向包括电子元器件失效分析、微波器件可靠技术及应用、集成电路静电放电检测与评价、电子产品制造过程中的静电防护技术等。
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| 目錄：
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译者序
前言
致谢
作者简介
第1章 静电学基本原理
1.1 引言
1.2 静电学
1.2.1 泰勒斯和静电引力
1.2.2 静电学和摩擦生电序列
1.2.3 摩擦生电序列和吉尔伯特
1.2.4 摩擦生电序列和格雷
1.2.5 摩擦生电序列和达菲
1.2.6 摩擦生电序列和富兰克林
1.2.7 静电学——西莫和人体模型
1.2.8 静电学——库仑和卡文迪许
1.2.9 静电学——法拉第和冰桶实验
1.2.10 静电学——法拉第和麦克斯韦
1.2.11 静电学——帕邢
1.2.12 静电学——斯托尼与“电子”
1.3 摩擦生电——它是怎么发生的
1.4 导体、半导体和绝缘体
1.5 静电耗散材料
1.6 静电放电和材料
1.7 充电和库仑定律
1.7.1 摩擦生电
1.7.2 感应生电
1.7.3 传导生电
1.8 电磁学和电动力学
1.9 电击穿
1.9.1 静电放电与击穿
1.9.2 击穿与帕邢定律
1.9.3 击穿和汤森德
1.9.4 击穿与托普勒定律
1.9.5 雪崩击穿
1.10 电准静态和磁准静态
1.11 电动力学与麦克斯韦方程
1.12 静电放电
1.13 电磁兼容
1.14 电磁干扰
1.15 本章小结
参考文献
第2章 生产和静电的基本原理
2.1 材料、工具、人为因素和静电放电
2.2 制造环境和工具
2.3 生产设备和ESD生产问题
2.4 生产材料
……
第3章 ESD、EOS、EMI、EMC和闩锁效应
第4章 系统级ESD
第5章 元器件级问题——问题与解决方法
第6章 系统中的ESD问题及解决方案
第7章 静电放电的未来
参考文献
术语表
ESD标准
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